Doutorado
Título: Realistic g-factors and k.p parameters in III-V semiconductors and prediction of layered semiconductor materials
Programa: Física – IFSC
Autor: Carlos Maciel de Oliveira Bastos
Orientador: Guilherme Matos Sipahi (IFSC/USP)
Defesa: Segunda-feira, dia 2 de dezembro de 2019, às 14 horas
Local: Sala de Defesas – Bloco D, Área 1 do Campus, Av. Trabalhador são-carlense, 400
Tel.: (16) 3373-9777
